根据Kuai Technology 6月29日，世界上最大的半导体设备负责人ASML开始形成下一代Hyper EUV高级光刻机器，以在未来十年为芯片行业做准备。 Jos Benschop说，ASML和独家光学合作伙伴Carl Zeiss研究了EUV光刻机器，他可以在一次性暴露中打印出良好的5NM分辨率，这可以满足2035年以后的过程的需求。暴露于8NM分辨率。以前，旧的光刻机器必须多次暴露以达到类似的分辨率，这不仅是低效率，而且产品的生产有限。 Benschop指出，ASML正在与Zeiss进行研究，目的是实现数字光圈（该数字）为0.7或UP，并且尚未设定具体的启动时间表。数值孔径（That）是测量光学系统收集和聚焦光的能力的关键指标，并且也是确定是否确定是否是确定的主要因素在晶圆中可以预期电路模式。长度的长度越大，越短，打印分辨率就越高。目前，平均EUV光刻机器为0.33，而最新一代的高EUV已增加到0.55。当前，ASML朝着0.7或超高（超高）转移。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：Chaohui